“高质量薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2148128个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜的方法-CN201910187322.4在审
发明人：任文才;辛星;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种制备大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜的方法，适于制备大面积高质量均匀层数的石墨烯薄膜。采用铜镍合金作为生长基底，通过化学气相沉积技术制备出大面积高质量均匀层数的石墨烯薄膜，后续用鼓泡转移的方法得到高质量均匀少数层石墨烯薄膜。本发明具有制备周期短，工艺简单，生产成本低，产物尺寸及厚度易于调控并适于大面积制备等特点，为大面积高质量均匀少数层石墨烯薄膜在场效应晶体管、透明导电薄膜，柔性电子器件等领域的研究和应用奠定基础。
石墨烯薄膜质量均匀制备化学气相沉积柔性电子器件透明导电薄膜生产成本低效应晶体管研究和应用铜镍合金制备周期生长基石墨烯鼓泡调控

[发明专利]制备高质量多孔GaN模板晶体的方法-CN202111559075.X有效
发明人：修向前;施佳诚;李悦文;许万里;陶涛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
制备质量多孔 gan 模板晶体方法

[发明专利]一种快速制备高质量均匀层数石墨烯薄膜的方法-CN201910187318.8有效
发明人：任文才;辛星;徐川;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及二维石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种快速制备高质量均匀层数石墨烯薄膜的方法，适于制备大面积的高质量均匀层数石墨烯薄膜。采用上层铜箔/底层过渡族金属箔片构成的双金属叠片作为生长基体，在低于铜熔点的温度下通过CVD技术催化裂解碳源生长出层数不均匀的石墨烯薄膜，后提高生长温度至铜熔点以上，在短时间内制备出高质量均匀层数的石墨烯薄膜，后续刻蚀掉铜基底得到高质量均匀层数的石墨烯薄膜。本发明具有制备工艺简单，时间周期短，产物尺寸及厚度易于调控并适于大面积制备等特点，为大面积高质量均匀石墨烯薄膜在场效应晶体管、透明导电薄膜、柔性电子器件等领域的研究和应用奠定基础。
一种快速制备质量均匀层数石墨薄膜方法

[发明专利]一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法-CN201910011336.0在审
发明人：张青红;张歆;李耀刚;王宏志;侯成义 -专利权人：东华大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种常温制备高质量钙钛矿薄膜的方法，包括：(1)配制钙钛矿前驱体溶液；(2)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，在旋涂结束前滴加反溶剂，得到中间相薄膜；(3)将中间相薄膜超声振荡处理，得到高质量钙钛矿薄膜。本发明方法可在室温下制备得到具有纯净钙钛矿相、大晶粒尺寸、光滑均匀的高质量钙钛矿薄膜，有望应用于不耐高温的柔性基底加工成柔性器件。
钙钛矿薄膜前驱体溶液常温制备钙钛矿旋涂预处理薄膜超声钙钛矿相柔性基底柔性器件大晶粒导电基反溶剂振荡滴加光滑制备薄膜配制加工应用

[发明专利]金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器-CN201610797852.7有效
发明人：孙莉莉;张韵;程哲;张连;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。
金属上单晶氮化物薄膜制备方法声波谐振器

[发明专利]一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法-CN201910982012.1在审
发明人：罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，基于氮化铝衬底的高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一氮化铝衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底对衬底进行保护，进一步提升生长温度，同时通入三甲基铝（TMAl）、氨气（NH3），采用低生长速率生长第一层氮化铝（AlN）优化层；而后降低生长温度，提高生长速率生长第二层高质量AlN外延薄膜。本发明的优点：方法简单易行，生长周期短，材料性能好，是实现AlN外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。
一种质量氮化薄膜同质外延生长方法

[发明专利]一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法-CN201611109108.X有效
发明人：魏居富;周超;李静 -专利权人：厦门世纳芯科技有限公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B32B37/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法，制备方法为：先制备量子点溶液；再制备聚合物，并向聚合物中加入量子点溶液，置于模具中冷却固化后得到聚合物‑量子点块材；最后将聚合物‑量子点块材进行机械切割，调整切割参数，即可获得不同厚度、致密的量子点荧光薄膜；将制备的量子点荧光薄膜贴覆上薄膜保护层，即制成高质量量子点荧光薄膜材料。通过本发明提供的一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法，所制备的高质量量子点荧光薄膜材料具有产率高，稳定性好，发光强度均匀，色域广，安全环保，厚度可控、致密性好，机械强度高等优点，并且该方法简单实用，可操作性强，适合量子点荧光薄膜的大批量制备。
一种质量量子荧光薄膜材料及其制备方法

[发明专利]基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法-CN201911335998.X在审
发明人：黎大兵;陈洋;孙晓娟;贾玉萍;蒋科;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，涉及二维材料的应用技术领域。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，包括单层石墨烯薄膜的生长、掺杂层的生成、支撑层的贴附、催化金属衬底的去除、石墨烯薄膜转移的步骤，利用掺杂材料同时作为石墨烯转移的保护层和掺杂层，解决了现有石墨烯转移技术中石墨烯材料沾污、薄膜破损、电学性能差等诸多问题，还可以重复上述操作，转移制备逐层掺杂的大面积高质量多层石墨烯薄膜。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，保证了释放到目标衬底上的石墨烯薄膜具有连续的表面形貌和完整的二维结构，同时改善了石墨烯的功函数和电导率。
基于掺杂辅助大面积质量石墨无损转移方法

[发明专利]一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法-CN202011073261.8在审
发明人：范天庆;屈芙蓉;冯嘉恒;夏洋;何萌;高圣;明帅强;李国庆;刘晓静;陶晓俊;沈云华 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法，包括以下步骤：在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体，进行原子层沉积，得到高质量二硫化钼薄膜；所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢；或所述钼前驱体选自双本发明采用上述种类的钼源和硫源，利用电子层沉积技术可以获得高质量二硫化钼薄膜。该方法能选择多种前驱体，具有较高的可行性。该方法能够满足目前所需的高质量，大范围，层数可控的条件，对于二硫化钼薄膜的研究和应用有着重大意义。该方法制备的薄膜的保形性好，且表面均匀。
一种质量二硫化钼薄膜原子沉积制备方法

[发明专利]一种高质量钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法-CN201610197458.X有效
发明人：胡劲松;葛倩庆;丁捷;刘杰 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法。所述方法结合溶剂浸泡辅助结晶，并且利用水和有机溶剂混合蒸汽辅助烘烤来制备高质量有机无机复合钙钛矿薄膜。所述方法制备得到结晶性好、大范围内均一、平整、无缺陷并无孔洞的高质量钙钛矿薄膜。所述制备方法操作简单，可操作性与可控性强，并且非常适合大面积钙钛矿薄膜太阳能电池的制备，因此在太阳能电池领域或其它科学领域具有巨大的潜在应用价值。
钙钛矿薄膜制备太阳能电池太阳能电池领域孔洞有机无机复合混合蒸汽结合溶剂科学领域有机溶剂结晶性可控性烘烤均一浸泡平整应用

[发明专利]一种运用离化原子团簇结合HIPIMS技术制备高质量薄膜的方法-CN201811277352.6在审
发明人：张克伟;秦文斌;林朝宗;李宏霞 -专利权人：昆山益固纳米科技有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种运用离化原子团簇结合HIPIMS技术制备高质量薄膜的方法，是利用离化原子团簇作为溅射气体并结合HIPIMS技术制备高质量薄膜的物理气相沉积方法，发挥高功率磁控溅射的成膜特点，并成倍数提升HIPIMS技术的成膜沉积速率，以制备得到性能优良的高质量薄膜，通过原子团簇装置将惰性气体团簇化然后经离子装置离化引出，在电场，磁场作用下轰击靶材，使靶材粒子在基板上参与反应，制备得到薄膜。解决现有技术存在的采用传统PVD法成膜质量较差，CVD法生产的薄膜结合力不佳、力学性能不稳定的问题。
制备高质量薄膜原子团簇离化靶材成膜薄膜物理气相沉积电场磁场作用磁控溅射惰性气体溅射气体离子装置力学性能法成膜高功率结合力基板团簇沉积轰击粒子生产

[发明专利]一种高质量单层多晶石墨烯薄膜的制备方法-CN201710066047.1有效
发明人：任文才;马腾;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术，具体为一种高质量单层多晶石墨烯的制备方法，适于制备高质量单层多晶石墨烯薄膜。采用CVD技术，以中等溶碳量金属为生长基体，通过渗入析出形成密度可控的石墨烯晶核，之后通过表面生长获得晶粒尺寸均一可调的多晶石墨烯薄膜。采用本发明可获得晶粒尺寸小、均一可控、且晶界完美拼合的高质量单层多晶石墨烯薄膜，为其在纳电子器件、光电器件、光子器件、气体传感器、薄膜电子器件等电子、光电、热电领域的应用奠定基础。
一种质量单层多晶石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法-CN201010147510.3无效
发明人：梅增霞;梁会力;梁爽;刘章龙;李俊强;侯尧楠;刘尧平;崔秀芝;张生利;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，具体步骤为：对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子体预处理；然后沉积BeO缓冲层，为外延生长ZnO提供一个理想的模板，然后通过公知的二步生长法制备得到高质量的ZnO薄膜。按本发明所制备的ZnO单晶薄膜具有非常好的结晶性能，适用于高性能光电子器件如紫外探测器等的制作。
一种蓝宝石衬底制备质量 zno 薄膜方法

[发明专利]获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法-CN02113080.9无效
发明人：张荣;修向前;徐剑;顾书林;卢佃清;毕朝霞;沈波;刘治国;江若琏;施毅;朱顺明;韩平;胡立群 -专利权人：南京大学
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
获得大面积质量 gan 支撑衬底方法

[发明专利]高质量氮化铝模板及其制备方法-CN202111167137.2在审
发明人：王新强;袁冶;刘上锋;李泰;王钇心;李铎;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量氮化铝模板及其制备方法，其包括以下步骤：1)对衬底进行清洁处理；2)沉积形成氮化铝薄膜和氮化镓保护薄膜；3)经非面对面高温退火处理后制得高质量氮化铝单晶模板。在高温退火的条件下氮化镓保护薄膜分解而在氮化铝薄膜表面创造富氮环境，从而抑制氮化铝薄膜表面的分解；同时氮化铝薄膜在高温状态下发生重结晶而实现高质量氮化铝单晶模板，并且在高温退火时是非面对面相贴合接触，即有效避免引入传统面对面退火方式引入的对片表面摩擦
质量氮化模板及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条